Цифровой запоминающий осциллограф ЦЗО_01 на базе ПЭВМ типа IBM PC

Оперативная память, или как еще называют ее техническую реализацию — оперативное запоминающее устройство (ОЗУ, RAM), представляет собой самую быструю запоминающую среду компьютера. Принципиально имеет значение то, что информация может быть как записана в нее, так и считана.

Оперативная память имеет свои достоинства и недостатки:

Благодаря малому времени доступа к памяти скорость обработки данных существенно возрастает. Если бы информация считывалась (соответственно записывалась) только с внешних носителей, то пользователь проводил бы в ожидании завершения выполнения той или иной операции много времени.

Недостатком оперативной памяти является то, что она является временной памятью. При отключении питаня оперативная память полностью «очищается», и все данные, не записанные на внешний носитель, будут навсегда потеряны.

Оперативная память принадлежит к категории динамической памяти, т. е. ее содержимое во время эксплуатации должно «освежаться» через определенные интервалы времени. Не будем углубляться в принципы работы оперативной памяти. Отметим лишь, что время доступа к блоку RAM определяется в первую очередь временем чтения (разряда конденсатора) и регенерации (заряд конденсатора). Оно измеряется в наносекундах. Его величина будет сказываться на быстродействии системы. В связи с этим в РС на базе CPU 80 486 или Pentium должны устанавливаться элементы памяти со временем доступа 70 нс и менее.

Исходя из того, что в системных платах описаных выше применяются модули SIMM и DIMM, ограничимся их сравнением. В современных материнских платах с процессором 80 486 и Pentium используются SIMM — модули, так как по своей организации и конструкции они являются наиболее эффективным средством обеспечения RAM для программных продуктов, требующих для своей работы все большие и большие объемы памяти. Кроме того, они достаточно надежны и занимают мало места. Когда речь идет о SIMM — модуле, имеют ввиду плату, которая по своим размерам примерно соответствует SIP -модулю. Но в отличие от SIP — модуля выводы для SIMM-модуля заменены так называемыми контактами типа PAD (вилка). Эти контакты выполнены печатным способом и находятся на одном краю платы. Благодаря такой конструкции SIMM-модулей существенно повышается надежность электрического контакта в разъеме и механическая прочность модуля в целом, тем более что все контакты изготовлены из высококачественного материала и позолочены. SIMM-модули являются стандартом в современных вычислительных системах. Они оборудованы микросхемами памяти общей емкостью 8, 16, 32Мб и более. В ЗС с CPU 80 386 и ранних моделях с CPU 80 486 использовались 30-контактные SIMM-модули памяти (DRAM) и число слотов на материнской плате колебалось от 4 до 8. В настоящее время найти в продаже подобные модули весьма не просто. В более поздних моделях РС с CPU 80 486 и Pentium стали использоваться 72-контактные SIMM-модули памяти (FPM DRAM). 30- и 72- контактные SIMM имеют ширину шины 8 и 32 бит соответственно.

При изготовлении SIMM-модулей применяются следующие технологии:

FPM DRAM (Fast Page Mode) — реализуют страничный режим. Это очень старая схема оптимизации работы памяти и наиболее медленная из реально применяемых. Но и самая дешевая.

EDO RAM (Extended Data Output) — разновидность асинхронной DRAM с расширенным вводом данных. Память типа EDO рекламировалась как значительно более быстрая по сравнению с FPM, однако реально это преимущество не так очевидно из-за применения на материнской плате быстродействующего кэша второго уровня.