Емкостные датчики

C = es/d (3)

Рассматриваемый преобразователь на электрической стороне характеризуется приложенным напряжением и, зарядом q=CU, током I=dq/dt и энергией W=CU/2. На неэлектрической стороне преобразователь характеризуется изменением параметров, входящих в выражение для емкости, т. е.Dd, Ds, De, и силой f=dW/dx, где под х следует понимать любую из величинDd, Ds, De.

Емкостный преобразователь обратим: при приложении на электрической стороне напряжения U, на неэлектрической стороне возникает сила f, которая используется в приборах уравновешивающего преобразования как результат действия обратного преобразования, в ЭС вольтметрах и в приборах с бесконтактным подвесом. В этом последнем случае элемент массы m может быть подвешен в электростатическом поле, если удовлетворяется условие f³ gm, где g — ускорение силы тяжести.

К емкостным преобразователям близки по своим характеристикам полупроводниковые диоды, в которых используется зависимость так называемой барьерной емкости от обратного напряжения. Такие преобразователи применяются в качестве элементов с электрически управляемой емкостью и называются варикапами.

Другая группа ЭС преобразователей основана на использовании сегнетоэлектриков, т. е. кристаллических диэлектриков, которые при определенных температурных условиях (при температуре ниже точки Кюри) обладают самопроизвольной поляризацией при отсутствии внешних электрических полей.

Состояние кристаллических диэлектриков характеризуется электрической индукцией D (или зарядом q), деформацией c и энтропией Э. Эти величины зависят от напряженности электрического поля Е (или напряжения U), механического напряжения s (или силы F) и температуры Т. На рис. 4 схематически показаны связи между указанными величинами.

Рис. 4 Схема связей между параметрами диэлектрика

Жирными стрелками показаны связи Е®D, s®c, T®Э, а тонкими стрелками изображены физические эффекты, свойственные сегнетоэлектрикам:

    1. прямой пьезоэлектрический эффект s®D (или q), проявляющийся в изменении поляризации кристалла действием механических напряжений;
    2. обратный пьезоэлектрический эффект Е (или U)®c, характеризующийся деформацией кристалла под днем электрического поля;
    3. пироэлектрический эффект T®D (или q), сводящийся к изменению заряда на поверхности кристалла при изменении температуры;
    4. пьезокалорический эффект s®Э, проявляющийся в изменении энтропии при изменении механических напряжений.

Помимо указанных эффектов при изменении Е, s, Т в кристаллах возникают побочные явления, например, изменяются диэлектрическая проницаемость, проводимость, оптические свойства и т. д.

Из указанных эффектов рассмотрим прямой и обратный пьезоэффекты, а также эффект изменения емкостной проводимости при изменении напряжения U. Преобразователи, в которых используются прямой или обратный пьезоэффекты, называются пьезоэлектрическими преобразователями.

Использование эффекта изменения емкостной проводимости в кристаллических полупроводниках обусловлено нелинейной зависимостью заряда q от приложенного напряжения U. Если зависимость q (U) линейна, то в выражении Dq=(¶q/¶U) величина C=¶q/¶U постоянна и представляет собой емкость. В случае нелинейной зависимости q (U) величина C=¶q/¶U также является емкостью, но не постоянной, а зависящей от напряжения U, т. е. C (U). Преобразователи, основанные на использовании нелинейной зависимости емкости от напряжения в сегнетоэлектриках, называются варикондами.

Емкостные датчики можно разделить на две основные группы — датчики параметрические (недифференциальные) и датчики дифференциальные.

В схемах с параметрическими датчиками происходит преобразование входной неэлектрической величины (угла поворота оси ротора датчика) в электрическую выходную величину (частоту, ток, напряжение), функционально зависящую от входной величины.

В схемах с дифференциальными датчиками, включенными в следящие системы, с датчика снимается лишь сигнал рассогласования, который становится равным нулю в установившемся состоянии следящей системы.

Примером параметрического емкостного датчика может служить переменная емкость, включенная в контур лампового генератора (рис. 5). Здесь при изменении угла поворота оси ротора изменяется емкость датчика и меняется частота генератора, являющаяся выходной величиной.

Рис. 5 Емкостной датчик, включенный в контур с генератором

Рис 6. Емкостной датчик, включенный в цепь переменного тока

На рис. 6 приведен другой пример использования параметрического датчика. В этом случае с изменением значения емкости С меняется ток через нее, а следовательно, и напряжение на выходе системы, падающее на сопротивлении нагрузки R, которое и является выходной величиной.

Подобные системы являются разомкнутыми системами регулирования. Основным недостатком этих схем является зависимость значения выходной величины от параметров источника питания датчика, усилителя и других элементов схемы, а также от внешних условий. В самом Деле, стоит измениться напряжению или частоте генератора, питающего датчик (рис. 6), как напряжение, частота и фаза, являющиеся выходными величинами и снимаемые с сопротивления R, также изменятся.

От этих недостатков свободны схемы с дифференциальными емкостными датчиками, включенными в замкнутую систему автоматического регулирования. В этих схемах выходной величиной является угол поворота оси отрабатывающего двигателя или другой оси, связанной с нею через редуктор. Одной из основных характеристик такой системы является чувствительность, показывающая, при каком минимальном отклонении чувствительного элемента система отработки приходит в действие. Внешние факторы — напряжение питания, температура окружающей среды и т. п. — влияют лишь на чувствительность системы; на точность системы они могут влиять лишь в той мерь, в какой она связана с чувствительностью.

Это значит, что схемы с емкостными дифференциальными датчиками, так же как и любые мостовые нулевые схемы с линейными относительно частоты и напряжения сопротивлениями в плечах, предъявляют значительно меньшие требования к стабильности источника питания.

Рис. 7 Мостовая схема с емкостным дифференциальным датчиком

В простейшем случае дифференциальный емкостный датчик представляет собой две последовательно включенные емкости, построенные конструктивно таким образом, что при увеличении одной из них другая уменьшается. Эти две емкости могут быть включены в мостовую схему (рис. 7), где два других плеча — реостатные. Если при этом напряжение, снимаемое с диагонали моста, использовать в качестве сигнала для следящей системы, перемещающей щетку потенциометра R в сторону уменьшения рассогласования, то всегда в установившемся состоянии следящей системы это напряжение u=0 в этом случае справедливо соотношение

(4)

Отсюда следует, что в схемах с дифференциальными емкостными датчиками с воздушным диэлектриком показания отрабатывающего органа (например, положение стрелки Указателя) не зависят ни от состава газа, ни от наличия в нем влаги (не выпадающей в виде капель), так как для обеих емкостей, составляющих дифференциальный датчик, меняется одинаково. Для недифференциальных же схем такое влияние может наблюдаться, хотя и в небольших пределах, так как для воздуха с влажностью 0% =l.0006, а для воздуха с влажностью 100% при t=+20°С =l.0008. В этих схемах эта величина составит соответственно погрешность примерно 0,02%, в то время как от некоторых систем с емкостными дифференциальными датчиками удалось добиться более высокой точности.

В емкостных преобразователях емкость С может меняться или за счет изменения параметров конденсатора Dd, Ds, De. При этом выполняются функции преобразования неэлектрических величин в изменение емкости или производится модуляция емкости, что имеет место в емкостных модуляторах, ЭС генераторах и др.

При работе преобразователя последовательно с его емкостью С включается сопротивление R (см. рис. 3), специально предусмотренное или представляющее собой сопротивление подводящих проводов. В зависимости от соотношения сопротивлений R и 1/jWC преобразователь будет работать в разных режимах. Если R >> 1/WC или RWC >> 1, то UUr и заряд конденсатора qCU = const, т. е. преобразователь работает в режиме заданного заряда. В этом случае U=q/C=CU/(C+Csint)U[l-(C/C)sint] и выходным параметром преобразователя является переменная составляющая напряжения U. Этот режим реализуется, в частности, на высоких частотах. Если R << 1/WC или RWC << 1, то падение напряжения будет и UUconst, т. е. преобразователь работает в режиме заданного напряжения. Для такого режима q=U (C+CsinWt); I=dq/dt=UCWcosWt и выходной величиной является ток. Такой режим имеет место на малых частотах.

При питании емкостных преобразователей переменным напряжением U=Usint между несущей частотой и наибольшей частотой W измеряемого сигнала должно сохраняться определенное соотношение. Если изменение емкости преобразователя, обусловленное измерительным сигналом, меняется по закону C=C+CsinWt, то I=d (CU)/dt +UdC/dt или

I = CU[cost + C/ C) cost sint +

+ (/) (C/ C) sint cos t] (5)

В этом выражении первый член в скобках характеризует несущее колебание, второй член пропорционален полезному измерительному сигналу, а третий член является помехой. Для сведения помехи к допускаемому значению необходимо удовлетворить условию / << l.

Поскольку емкости преобразователей малы и редко превышают 50−100 пФ, то необходимо учитывать сопротивление утечки изоляции R, паразитную емкость С между электродами и заземленными элементами, а также сопротивление Д и индуктивность L проводящих кабелей. На Рис. 8 дана эквивалентная схема емкостного преобразователя. Необходимость учета всех указанных факторов возникает на достаточно высоких частотах (обычно свыше 10 МГц). Применяемые в емкостных преобразователях диэлектрики неидеальны, и им свойственны потери. При идеальных диэлектриках сдвиг фаз между током и напряжением равен /2, а если имеются потери, то этот сдвиг уменьшается на угол , называемый углом потерь. Обычно вместо угла рассматривается tg, который для эквивалентной схемы на Рис. 8,б равен tg= 1/CR.

Величина, обратная tg, называется добротностью Q емкостного преобразователя

Q=CR (6)

Рис. 8 Эквивалентные схемы преобразователя

Угол потерь (tg) для разных диэлектриков различен. Вместе с тем эта величина зависит от температуры, частоты, напряжения на конденсаторе и влажности. Очевидно, что на принципе измерения угла потерь можно строить различные приборы, например, влагомеры. Если менять частоту питающего напряжения на конденсаторе преобразователя, то можно создать прибор для определения дисперсии диэлектрических жидкостей, газов и твердых тел.

В качестве измерительных цепей в емкостных преобразователях применяются делители напряжения, мостовые схемы, колебательные контуры и автогенераторы. Поскольку сигналы, снимаемые с емкостных преобразователей, малы, то измерительные цепи содержат усилители, а соединительные пропала должны быть экранированы.

Рис. 9 Резонансные измерительные системы

Рис. 9 Резонансные измерительные системы

На Рис. 9 приведены измерительные цепи в виде параллельного (а) и последовательного (б) колебательных контуров, питаемых стабильным по амплитуде и частоте напряжением U, снимаемым с генератора Г. При изменении емкости C=C+C напряжение (Рис. 9, а) или ток (Рис. 9, б) в цепи резонансного контура будут меняться, достигая максимума при резонансе =l/. На склонах, резонансной кривой (Рис. 9, в) мелено выбрать участок, близкий к линейному, в середине которого выбирается рабочая точка М, соответствующая среднему значению емкости C преобразователя. При изменении емкости на напряжение на выходе будет меняться на .

Емкостным преобразователь может быть элементом в схеме триггера. На Рис. 10 приведена схема мультивибратора, на выходе которого генерируется непрерывная последовательность импульсов.

Рис. 10 Схема триггера

При проектировании емкостных преобразователей следует обращать внимание на экранирование проводов, выбор изоляции электролиз, устранение поверстного сопротивления изоляции и выбор частоты питания. Чем выше эта частота, тем меньше выходное сопротивление, поэтому нередко частоту питания выбирают большой (до нескольких МГц).