Расчет топологии толстопленочной микросхемы

Точность изготовления пассивной части микросхемы в значительной мере зависит от плоскотности и шероховатости платы.

Максимальная кривизна поверхности (макронеровность) не должна превышать 4 мкм на 1 мм. Шероховатость (микронеровность) рабочей поверхности платы должна быть не ниже 8-го класса (высота неровностей 0,32−0,63 мкм). Более высркая чистота обработки поверхности платы, так как адгезия толстых пленок к шероховатой поверхности лучше, а влияние микронеровностей мало сказывается на свойствах пленок толщиной 10−70 мкм.

Размеры плат определяются конкретной конструкцией корпуса.

Толщина плат 0,6−1,0 мм. С учетом выбранного металлостеклянного корпуса 1206(153.15−1) и топологических расчетов размер платы будет 17,0×15,3 мм.

Способ монтажа навесных компонентов

Навесные компоненты рекомендуется располагать на одной стороне платы. нельзя устанавливать навесные компоненты на стороне платы, заливаемой компаундом, тк в виду усадки последнего возможен отрыв навесных элементов от платы.

В заданной схеме транзисторы типа КТ359 имеют конструкцию с жесткими выводами. При монтаже навесных компонентов с жесткими выводами проводники целесообразно покрывать защитным диэлектриком, оставляя открытыми лишь контактные площадки.

Контактные площадки следует располагать напротив выводов активных элементов.

Заключительные операции

Присоединение внешних выводов

Присоединение внешних выводов будем выполнять с помощью проволоки. Отогнутый конец вывода не должен выходить за пределы внешнего контура контактной площадки. Внутренний диаметр контактной площадки для монтажа внешнего вывода должен быть больше диаметра отверстия в плате на 0.1 мм.

Метод герметации корпуса

Корпус будем герметизировать с помощью аргонодуговой сварки.

Для посадки в корпус используется клей колодного отверждения.

Список литературы:

1 «Конструирование и технология микросхем. Курсовое проектирование. «Под ред. Л. А. Коледова Издательство «Высшая школа», 1984

2 «Разработка гибридных микросхем частного применения. «А. Ф. Мевис, Ю. Г. Семенов, В. С. Полутин. МИРЭА, 1988

3 «Микроэлектроника» И. Е. Ефимов, И. Я. Козырь, Ю. И. Горбунов Издательство «Высшая школа», 1987