Поиск
Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов и слоистых структур
... инверсном включении. Бо-
лее сильное влияние параметрического тока на характеристики БИС-
ПИНа объясняются большим прямым сопротивлением А-области.
Подключая А-область приборов к источнику напряжения, p-об-
ласть (электрод С) — к генератору тока согласно блок схеме
рис. 18,а, получим ВАХ БИСПИНа (б) и ТУННЕЛИСТОРа ...