Некоторые определения

в дифференциальной форме:

.

в интегральной форме:

. (μ - κоэффициент пропорциональности).

Коэффициент пропорциональности ослабления либо поглощения лучей выглядит следующим образом:

Дефекты.

Различают точечные, линейные, поверхностные и объёмные деффекты.

Точечные дефекты.

Точечные, так называемые нульмерные дефекты малы во всех трёх измерениях. Ими называют вакансии, межузельные атомы. Место с которого атом сместился из узла решетки называеься вакансией. Если в кристалле N атомов и n вакансий то равновесная концентрация вакансий равна. Вакансии — основные дефекты в металлических материалах, так как энергия образования междоузельного дефекта меньше энергии вакансии.

Образование точечных дефектов происходит по двум механизмам.

1.Механизм Френкеля — вакансии и межузельный атом одновременно образовываются при перемещении атома из его нормального положения в узле решётки, например, при облучении ядерными частицами.

2.Механизм Шоттки — атом приобретает избыток энергии от соседних атомов, вследствие чего выходит на поверхность и занимает узлы нового слоя. Через время на место атома поверхностного слоя переходит атом из глубокого слоя, и вакансия перемещается в глубь кристалла.

Линейные дефекты.

Линейные или одномерные дефекты малы в двух измерениях, а в третьем велики — на длину зерна. Линейными дефектами называют дислокации, цепочки вакансий и межузельные атомы.

Сдвиг на одно межатомное расстояние одной части кристалла относительно другой вдоль какой либо плоскости называют краевой дислокацией. Сдвиг создавший краевую дислокацию имеет направление — вектор сдвига.

Лишний атомный слой, вблизи которого внутри кристалла решётка сильно искажена, называется экстраплоскостью. Если экстраплоскость находится в верхней части кристалла, то дислокация называется положительной (┴), а если наоборот — отрицательной (┬).Характеристикой дислокации, по которой определяют энергию дислокации и меру искажённости кристаллической решётки дислокацией, является вектор Бёркинса. Перемещение дислокации по плоскости скольжения под действием касательных напряжений (в ГЦК — {111}, в ГПУ {001}) называют дислокационным скольжением. Винтовой дислокацией называют атомную плоскость, закрученную вокруг линии в виде геликоида. Для винтовой дислокации ось (линия) дислокации параллельна вектору Бёркинса, а направление перпендикулярно.

Суммарную линию дислокаций в единице объёма называют дислокационной плотностью: .